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合肥長鑫19nm DRAM內存芯片產能增加

最新報道稱,合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產能,目標是月產4萬片晶圓。
   存儲器產品占到了我國每年進口半導體芯片中的大頭,其中DRAM內存芯片占比最高,有20%以上。
 
  最新報道稱,合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產能,目標是月產4萬片晶圓。
 
  在9月份開幕的201 9世界制造業大會上,合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內存芯片自主制造項目投產,將生產國產第一代10nm級8Gb DDR4內存。
 
  長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明介紹,投產的8Gb DDR4通過了多個國內外大客戶的驗證,今年底正式交付,另有一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。
 
  據悉,長鑫的DRAM技術主要來自已經破產的奇夢達,包括將后者一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據收歸囊中。
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